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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.630479
10
¥0.594792
100
¥0.561124
500
¥0.529362
1000
¥0.499398
Infineon Technologies BFR193E6327HTSA1
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- 对比
BFR193E6327HTSA1
1211-BFR193E6327HTSA1
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BFR193E6327HTSA1详情
Infineon Technologies BFR193E6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
80mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
12V
最大功率耗散
580mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
65mA
频率
8GHz
基本部件号
BFR193
元素配置
Single
功率耗散
580mW
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
12V
最大集电极电流
80mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 30mA 8V
增益
10dB ~ 15dB
转换频率
8000MHz
集电极基极电压(VCBO)
20V
发射极基极电压 (VEBO)
2V
噪音数字(分贝类型@ f)
1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
高度
1mm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BFR193E6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







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