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首页 全部分类 BFR505T,115 vs 2SC5095-R(TE85L,F)

BFR505T,115备选型号: 2SC5095-R(TE85L,F)

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 转换频率
  • 频率转换
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 最高频段
  • 噪音数字(分贝类型@ f)
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 最大功率耗散
  • Reach合规守则
  • 元素配置
  • 增益带宽积
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 增益
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 集电极-基极电容-最大值
  • NXP USA Inc.
    BFR505T,115
    NXP USA Inc.
    RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 9GHZ, 3-SOT-416
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    YES
    SILICON
    18mA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2000
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
    8541.21.00.75
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    BFR505
    3
    R-PDSO-G3
    不合格
    SINGLE
    150mW
    AMPLIFIER
    NPN
    NPN
    60 @ 5mA 6V
    15V
    9000MHz
    9GHz
    0.15W
    L B
    1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SC5095-R(TE85L,F)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans Gp Bjt NPN 10V 0.015A 3-PIN Usm T/r
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    -
    SILICON
    10V
    125°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2009
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    低噪音
    8541.21.00.75
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    3
    R-PDSO-G3
    不合格
    -
    100mW
    AMPLIFIER
    NPN
    NPN
    50 @ 7mA 6V
    -
    10000MHz
    -
    -
    超高频B型
    1.8dB @ 2GHz
    符合RoHS标准
    16 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    100mW
    unknown
    Single
    10 GHz
    10V
    15mA
    13dB ~ 7.5dB
    10V
    20V
    1.5V
    0.85pF
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