BFR505T,115备选型号: UMD22NTR

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  • 晶体管类型
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
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  • 频率转换
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  • 底架
  • 引脚数
  • 无铅代码
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 极性
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 最大击穿电压
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 9GHZ, 3-SOT-416
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    YES
    SILICON
    18mA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2000
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
    8541.21.00.75
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    BFR505
    3
    R-PDSO-G3
    不合格
    SINGLE
    150mW
    AMPLIFIER
    NPN
    NPN
    60 @ 5mA 6V
    15V
    9000MHz
    9GHz
    0.15W
    L B
    1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    -
    50V
    -
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e2
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    锡铜
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
    8541.21.00.75
    -
    鸥翼
    260
    10
    *MD22
    6
    -
    -
    -
    -
    SWITCHING
    -
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    80 @ 10mA 5V
    -
    250MHz
    250MHz
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    13 Weeks
    表面贴装
    6
    yes
    150°C
    -55°C
    150mW
    NPN, PNP
    Dual
    150mW
    300mV
    100mA
    500nA
    300mV @ 250μA, 5mA
    50V
    4.7k Ω
    -100mA
    47k Ω
    900μm
    2.1mm
    1.35mm
    无铅
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