BFU590GX备选型号: DXT13003DG-13

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  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
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  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • JESD-609代码
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • 接通时间-最大值(ton)
  • NXP USA Inc.
    RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT223
    13 Weeks
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    200mA
    -40°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    BFU590
    2W
    NPN
    60 @ 80mA 8V
    8dB
    12V
    8.5GHz
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
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    -
  • Diodes Incorporated
    TRANS NPN 450V 1.3A SOT223
    15 Weeks
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    450V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    NPN
    16 @ 500mA 2V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    7.994566mg
    SILICON
    400mV
    e3
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    700mW
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PDSO-G4
    Single
    COLLECTOR
    SWITCHING
    4MHz
    NPN
    400mV
    1.3A
    400mV @ 250mA, 1A
    4MHz
    450V
    9V
    1.3A
    3700ns
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