Diodes Incorporated DXT13003DG-13

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

450V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

700mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G4

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

4MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

1.3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

16 @ 500mA 2V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 250mA, 1A

转换频率

4MHz

最大击穿电压

450V

发射极基极电压 (VEBO)

9V

连续集电极电流

1.3A

接通时间-最大值(ton)

3700ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant