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首页 全部分类 BFU660F,115 vs MT3S16U(TE85L,F)

BFU660F,115备选型号: MT3S16U(TE85L,F)

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  • 底架
  • 质量
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  • 频率
  • 元素配置
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • NXP USA Inc.
    BFU660F,115
    NXP USA Inc.
    TRANSISTOR NPN SOT343F
    13 Weeks
    表面贴装
    SOT-343F
    60mA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    BFU660
    4
    225mW
    NPN
    90 @ 10mA 2V
    12dB ~ 21dB
    5.5V
    21GHz
    2013-06-14 00:00:00
    0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MT3S16U(TE85L,F)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM
    16 Weeks
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    5V
    125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    NPN
    80 @ 5mA 1V
    4.5dBi
    -
    -
    -
    2.4dB @ 1GHz
    符合RoHS标准
    表面贴装
    6.208546mg
    100mW
    4GHz
    Single
    NPN
    5V
    60mA
    2000MHz
    5V
    10V
    2V
    60mA
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