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首页 全部分类 BFU725F/N1,115 vs PBLS2002S,115

BFU725F/N1,115备选型号: PBLS2002S,115

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  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
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  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 频率转换
  • 源Url状态检查日期
  • 噪音数字(分贝类型@ f)
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • NXP USA Inc.
    BFU725F/N1,115
    NXP USA Inc.
    TRANSISTOR NPN 40MA SOT343
    13 Weeks
    表面贴装
    SOT-343 Reverse Pinning
    40mA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    BFU725
    4
    136mW
    NPN
    160 @ 10mA 2V
    10dB ~ 24dB
    2.8V
    55GHz
    2013-06-14 00:00:00
    0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PBLS2002S,115
    NXP USA Inc.
    TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
    -
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    150°C
    -
    Tape & Reel (TR)
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    PBLS2002
    8
    1.5W
    1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
    30 @ 10mA 5V / 150 @ 2A 2V
    -
    50V 20V
    100MHz
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    YES
    SILICON
    e4
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    8541.21.00.95
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PDSO-G8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
    SWITCHING
    NPN和PNP
    1μA 100nA
    150mV @ 500μA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
    100MHz
    1.5W
    4.7k Ω
    4.7k Ω
    205ns
    41ns
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