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首页 全部分类 BGU8009,115 vs BGA924N6E6327XTSA1

BGU8009,115备选型号: BGA924N6E6327XTSA1

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  • 引脚数
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  • 最高工作温度
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  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 温度等级
  • 工作电源电流
  • 无卤素
  • 通信IC类型
  • 长度
  • 宽度
  • 座位高度(最大)
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    BGU8009,115
    NXP USA Inc.
    IC AMP GALIL 1.559-1.61GHZ 6XSON
    13 Weeks
    表面贴装
    6-XFDFN
    Industrial grade
    Tape & Reel (TR)
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    1.5V~3.1V
    1.559GHz~1.61GHz
    6
    1.559GHz~1.61GHz
    4.4mA
    18dB
    Galileo, GLONASS, GPS
    0.65dB
    -7dBm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BGA924N6E6327XTSA1
    Infineon Technologies
    IC AMP GALIL 1.559-1.61GHZ TSNP6
    12 Weeks
    表面贴装
    6-XFDFN
    Industrial grade
    Tape & Reel (TR)
    2014
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    1.5V~3.3V
    1.559GHz~1.61GHz
    -
    1.55GHz~1.615GHz
    -
    16.2dB
    Galileo, GLONASS, GPS
    0.55dB
    -8dBm
    符合RoHS标准
    Tin
    表面贴装
    6
    e3
    6
    85°C
    -40°C
    8542.39.00.01
    60mW
    DUAL
    无铅
    未说明
    1
    1.8V
    0.4mm
    未说明
    INDUSTRIAL
    4.85mA
    无卤素
    电信电路
    1.1mm
    0.7mm
    0.4mm
    无铅
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BGA924N6E6327XTSA1 BGA924N6E6327XTSA1 Infineon Technologies 射频放大器 6-XFDFN IC AMP GALIL 1.559-1.61GHZ TSNP6 对比
BGU8011X BGU8011X NXP USA Inc. 射频放大器 6-XFDFN RF Amp Chip Single Low Noise Amp 1610MHz 3.1V 6-Pin XSON T/R 对比
BGU6005/N2X BGU6005/N2X NXP USA Inc. 射频放大器 6-XFDFN RF Amp Chip Single GP 1610MHz 3.1V 6-Pin XSON T/R 对比