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首页 全部分类 BQ4014MB-120 vs AS6C2008A-55TIN

BQ4014MB-120备选型号: AS6C2008A-55TIN

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  • 底架
  • 安装类型
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  • ECCN 代码
  • 电压 - 供电
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  • 基本部件号
  • 工作电源电压
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  • 内存接口
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  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 表面安装
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 端口的数量
  • 电源电流-最大值
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • I/O类型
  • 待机电压-最小值
  • Texas Instruments
    BQ4014MB-120
    Texas Instruments
    IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP
    通孔
    通孔
    32-DIP Module (0.61, 15.49mm)
    32
    Non-Volatile
    0°C~70°C TA
    Tube
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    32
    3A991.B.2.A
    4.75V~5.5V
    DUAL
    1
    5V
    2.54mm
    BQ4014
    5V
    5V
    2Mb 256K x 8
    110mA
    NVSRAM
    Parallel
    8b
    256KX8
    8
    120ns
    2 Mb
    0.005A
    120 ns
    8b
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Alliance Memory, Inc.
    AS6C2008A-55TIN
    Alliance Memory, Inc.
    IC SRAM 2M PARALLEL 32TSOP I
    -
    表面贴装
    32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
    32
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    32
    -
    2.7V~5.5V
    DUAL
    1
    3V
    0.5mm
    -
    3V
    3/5V
    2Mb 256K x 8
    -
    SRAM
    Parallel
    -
    256KX8
    8
    55ns
    2 Mb
    0.00002A
    55 ns
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    8 Weeks
    YES
    2006
    260
    40
    32
    5.5V
    2.7V
    1
    0.06mA
    3-STATE
    18b
    COMMON
    2V
  • 添加型号
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