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首页 全部分类 BSB013NE2LXIXUMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1

BSB013NE2LXIXUMA1备选型号: BSC010NE2LSIATMA1

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSB013NE2LXIXUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
    26 Weeks
    Silver
    表面贴装
    表面贴装
    3-WDSON
    7
    SILICON
    36A Ta 163A Tc
    2V @ 250μA
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    OptiMOS™
    e4
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    3
    EAR99
    BOTTOM
    无铅
    未说明
    未说明
    R-MBCC-N3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.3m Ω @ 30A, 10V
    4400pF @ 12V
    62nC @ 10V
    6.4ns
    25V
    ±20V
    36A
    20V
    400A
    25V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC010NE2LSIATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 25V 38A 8-Pin TDSON EP
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    38A Ta 100A Tc
    2V @ 250μA
    -
    Tape & Reel (TR)
    2013
    OptiMOS™
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.05m Ω @ 30A, 10V
    4200pF @ 12V
    59nC @ 10V
    6.2ns
    -
    ±20V
    38A
    20V
    400A
    -
    ROHS3 Compliant
    150°C
    -55°C
    无卤素
    25V
    not_compliant
    含铅
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