Infineon Technologies IRFH3702TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

8-PowerVDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Ta 42A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Turn Off Delay Time

11 ns

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta

Number of Elements

1

已出版

2009

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

JESD-30代码

S-PDSO-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.8W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9.6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.1m Ω @ 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1510pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 4.5V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5.8 ns

连续放电电流(ID)

16A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0071Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120A

双电源电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

77 mJ

栅源电压

1.8 V

高度

939.8μm

宽度

2.9972mm

长度

2.9972mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC