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首页 全部分类 BSC014N03MSGATMA1 vs BSC011N03LSATMA1

BSC014N03MSGATMA1备选型号: BSC011N03LSATMA1

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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 下降时间（典型值）
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSC014N03MSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin TDSON T/R
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    30A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2010
    e3
    no
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    32 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    13000pF @ 15V
    173nC @ 10V
    16ns
    ±20V
    30A
    20V
    30V
    400A
    340 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC011N03LSATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    37A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2012
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    -
    8
    R-PDSO-F5
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    6.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.1m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    无卤素
    4700pF @ 15V
    72nC @ 10V
    8.8ns
    ±20V
    37A
    20V
    30V
    400A
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    26 Weeks
    Tin
    6.2 ns
    无
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