Infineon Technologies BSC0923NDIATMA1
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BSC0923NDIATMA1
1211-BSC0923NDIATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerTDFN
大陆
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Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
--最小包装量--
BSC0923NDIATMA1详情
Infineon Technologies BSC0923NDIATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
17A 32A
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
功率耗散
2.5W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Rds On(Max)@Id,Vgs
5m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1160pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
连续放电电流(ID)
32A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
场效应管特性
Logic Level Gate, 4.5V Drive
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSC0923NDIATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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