BSC0923NDIATMA1
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Infineon Technologies BSC0923NDIATMA1

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型号

BSC0923NDIATMA1

utmel 编号

1211-BSC0923NDIATMA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-PowerTDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R

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BSC0923NDIATMA1
BSC0923NDIATMA1 Infineon Technologies Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R

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BSC0923NDIATMA1详情

Infineon Technologies BSC0923NDIATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    18 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerTDFN

  • 引脚数

    8

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    17A 32A

  • Number of Elements

    2

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    OptiMOS™

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    1W

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 功率耗散

    2.5W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    5m Ω @ 20A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1160pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    10nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • 连续放电电流(ID)

    32A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate, 4.5V Drive

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

右边的3个型号有着和Infineon Technologies & BSC0923NDIATMA1相似的参数规格。

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BSC0923NDIATMA1拓展信息

IRF7306TRPBF
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BSD235CH6327XTSA1
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IPG20N06S4L11ATMA1
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IRF7324TRPBF
IRF7324TRPBF

Infineon Technologies

IRF7380TRPBF
IRF7380TRPBF

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IRF9952TRPBF
IRF9952TRPBF

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IRF7101TRPBF
IRF7101TRPBF

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IRF7907TRPBF
IRF7907TRPBF

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IRF7319TRPBF
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IRF7351TRPBF
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