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首页 全部分类 BSC016N03MSGATMA1 vs FDMS8018

BSC016N03MSGATMA1备选型号: FDMS8018

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  • 上升时间
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSC016N03MSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    28A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2009
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    125W
    DRAIN
    31 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.6m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    13000pF @ 15V
    173nC @ 10V
    16ns
    ±20V
    28A
    16V
    30V
    0.002Ohm
    400A
    340 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS8018
    ON Semiconductor
    Single N-Channel 30 V 2.5 W 61 nC PowerTrench Surface Mount Mosfet - POWER 56-8
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    30A Ta 120A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    260
    -
    30
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.8m Ω @ 30A, 10V
    3V @ 250μA
    -
    5235pF @ 15V
    61nC @ 10V
    7.3ns
    ±20V
    30A
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    68.1mg
    R-PDSO-F5
    Single
    4.8 ns
    MO-240AA
    30V
    1.05mm
    5.1mm
    6.25mm
    无
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