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首页 全部分类 BSC019N04NSGATMA1 vs FDMS8460

BSC019N04NSGATMA1备选型号: FDMS8460

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  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSC019N04NSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP
    26 Weeks
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    Tin
    8
    SILICON
    4V @ 85μA
    2.5W Ta 125W Tc
    OptiMOS™
    2009
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    125W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.9m Ω @ 50A, 10V
    无卤素
    8800pF @ 20V
    108nC @ 10V
    5.6ns
    ±20V
    29A
    20V
    40V
    400A
    295 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS8460
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 25A POWER56
    10 Weeks
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    Tin
    8
    SILICON
    3V @ 250μA
    25A Ta 49A Tc
    PowerTrench®
    -
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    -
    -
    -
    R-PDSO-N5
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2m Ω @ 25A, 10V
    -
    7205pF @ 20V
    110nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    25A
    20V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2.2MOhm
    40V
    Single
    19 ns
    7 ns
    1.9V
    49A
    40V
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无
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