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首页 全部分类 BSC025N03MSGATMA1 vs BSC020N03MSGATMA1

BSC025N03MSGATMA1备选型号: BSC020N03MSGATMA1

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  • Reach合规守则
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  • 引脚数量
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  • 资历状况
  • 配置
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 附加功能
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    BSC025N03MSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TSDSON
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    23A Ta . 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2010
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    83W
    DRAIN
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    7600pF @ 15V
    98nC @ 10V
    11ns
    ±20V
    23A
    16V
    30V
    0.003Ohm
    400A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC020N03MSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    25A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2010
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    -
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    96W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    2m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    9600pF @ 15V
    124nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    25A
    16V
    30V
    0.0025Ohm
    400A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    Tin
    雪崩 额定
    200 mJ
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