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首页 全部分类 BSC026N02KSGAUMA1 vs IRF6201PBF

BSC026N02KSGAUMA1备选型号: IRF6201PBF

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  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSC026N02KSGAUMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 25A 8-Pin TDSON
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    52 ns
    1.2V @ 200μA
    2011
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    e3
    no
    活跃
    3 (168 Hours)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    78W
    DRAIN
    21 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.6m Ω @ 50A, 4.5V
    无卤素
    7800pF @ 10V
    52.7nC @ 4.5V
    115ns
    ±12V
    9 ns
    25A
    12V
    20V
    0.0045Ohm
    200A
    550 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6201PBF
    Infineon Technologies
    20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    27A Ta
    1.1V @ 100μA
    2004
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    -
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    29 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.45m Ω @ 27A, 4.5V
    -
    8555pF @ 16V
    195nC @ 4.5V
    100ns
    ±12V
    265 ns
    27A
    12V
    -
    0.00245Ohm
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin
    1.1V
    20V
    120 ns
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
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IRF6201PBF IRF6201PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package 对比