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首页 全部分类 BSC026NE2LS5ATMA1 vs IRFH4255DTRPBF

BSC026NE2LS5ATMA1备选型号: IRFH4255DTRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 长度
  • 宽度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSC026NE2LS5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    24A Ta 82A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.6m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    1100pF @ 12V
    16nC @ 10V
    ±16V
    82A
    25V
    24A
    0.004Ohm
    14 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH4255DTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    3.2m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 35μA
    -
    1314pF @ 13V
    15nC @ 4.5V
    -
    30A
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    Tin
    EAR99
    38W
    IRFH4255
    Dual
    31W 38W
    25V
    1.6V
    20V
    逻辑电平门
    6mm
    5mm
    900μm
    无SVHC
    无
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