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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.184997
10
¥5.834902
100
¥5.504625
500
¥5.193043
1000
¥4.899098
Infineon Technologies IRFH4255DTRPBF
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- 对比
IRFH4255DTRPBF
1211-IRFH4255DTRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerVDFN
大陆
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MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRFH4255DTRPBF详情
Infineon Technologies IRFH4255DTRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
触点镀层
Tin
引脚数
8
Number of Elements
2
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
64A 105A
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
38W
基本部件号
IRFH4255
元素配置
Dual
功率 - 最大
31W 38W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.2m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 35μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1314pF @ 13V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
25V
连续放电电流(ID)
30A
阈值电压
1.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
场效应管特性
逻辑电平门
长度
6mm
宽度
5mm
高度
900μm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRFH4255DTRPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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