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首页 全部分类 BSC027N04LSGATMA1 vs IRL40B215

BSC027N04LSGATMA1备选型号: IRL40B215

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  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    BSC027N04LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    24A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2009
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    逻辑电平兼容
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    83W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.7m Ω @ 50A, 10V
    2V @ 49μA
    无卤素
    6800pF @ 20V
    85nC @ 10V
    5.6ns
    ±20V
    100A
    2V
    20V
    40V
    24A
    400A
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL40B215
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 120A
    12 Weeks
    -
    Surface Mount, Through Hole
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    2.7m Ω @ 98A, 10V
    2.4V @ 100μA
    -
    5225pF @ 25V
    84nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    120A
    2.4V
    20V
    -
    -
    -
    Unknown
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Single
    21 ns
    40V
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
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