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BSC030N08NS5ATMA1备选型号: IRFS3206TRRPBF
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- 晶体管元件材料
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- 零件状态
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- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON26 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8506.605978mgSILICON100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2013yes活跃1 (Unlimited)5DUALFLAT未说明未说明R-PDSO-F51Single增强型MOSFET2.5WDRAIN20 nsN-ChannelSWITCHING3m Ω @ 50A, 10V3.8V @ 95μA无卤素5600pF @ 40V76nC @ 10V12ns±20V13 ns22A20V80V0.003Ohm80V400A250 mJ150°C1.1mmROHS3 Compliant含铅------
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-SILICON120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004-活跃1 (Unlimited)2-鸥翼26030R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET300WDRAIN19 nsN-ChannelSWITCHING3m Ω @ 75A, 10V4V @ 150μA-6540pF @ 50V170nC @ 10V82ns±20V83 ns120A20V--60V840A--4.826mmROHS3 Compliant无铅e3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier10.668mm9.65mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 80V 23A 8TDSON | 对比 |
| IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | 对比 |
| IPB031N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 80V TO263-3 | 对比 |
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