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首页 全部分类 BSC035N04LSGATMA1 vs BSC030N04NSGATMA1

BSC035N04LSGATMA1备选型号: BSC030N04NSGATMA1

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 表面安装
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    BSC035N04LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    1
    2V @ 36μA
    2009
    OptiMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    69W
    DRAIN
    7.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5m Ω @ 50A, 10V
    无卤素
    5100pF @ 20V
    64nC @ 10V
    4.6ns
    ±20V
    5 ns
    21A
    20V
    40V
    0.0053Ohm
    400A
    65 mJ
    ROHS3 Compliant
    not_compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC030N04NSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
    26 Weeks
    表面贴装
    -
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    23A Ta 100A Tc
    4V @ 49μA
    2009
    OptiMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 50A, 10V
    -
    4900pF @ 20V
    61nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    0.003Ohm
    400A
    115 mJ
    ROHS3 Compliant
    not_compliant
    -
    YES
    40V
    23A
    40V
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