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首页 全部分类 BSC036NE7NS3GATMA1 vs BSC067N06LS3GATMA1

BSC036NE7NS3GATMA1备选型号: BSC067N06LS3GATMA1

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 资历状况
  • Infineon Technologies
    BSC036NE7NS3GATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
    26 Weeks
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    100A Tc
    3.8V @ 110μA
    OptiMOS™
    2002
    Cut Tape (CT)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.6m Ω @ 50A, 10V
    无卤素
    4400pF @ 37.5V
    63.4nC @ 10V
    18ns
    ±20V
    10 ns
    20A
    20V
    75V
    0.0036Ohm
    400A
    260 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
  • Infineon Technologies
    BSC067N06LS3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
    26 Weeks
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    15A Ta 50A Tc
    2.2V @ 35μA
    OptiMOS™
    2011
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.7m Ω @ 50A, 10V
    无卤素
    5100pF @ 30V
    67nC @ 10V
    26ns
    ±20V
    7 ns
    15A
    20V
    60V
    0.0067Ohm
    200A
    47 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    不合格
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