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首页 全部分类 BSC0502NSIATMA1 vs FDMS8820

BSC0502NSIATMA1备选型号: FDMS8820

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 宽度
  • 高度
  • 长度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSC0502NSIATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 26A TDSON-8
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    1
    2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.3m Ω @ 30A, 10V
    无卤素
    1600pF @ 15V
    26nC @ 10V
    ±20V
    100A
    30V
    26A
    400A
    14 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS8820
    ON Semiconductor
    MOSFET NCh 30V 116A 2.4mOhm
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    1
    2.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    1 (Unlimited)
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    R-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2m Ω @ 28A, 10V
    -
    5315pF @ 15V
    88nC @ 10V
    ±20V
    116A
    -
    -
    -
    294 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    68.1mg
    EAR99
    Single
    78W
    14 ns
    16ns
    13 ns
    MO-240AA
    20V
    0.002Ohm
    30V
    6mm
    1.05mm
    5mm
    无
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