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首页 全部分类 BSC0502NSIATMA1 vs NVTFS4C05NWFTAG

BSC0502NSIATMA1备选型号: NVTFS4C05NWFTAG

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  • 晶体管应用
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 参考标准
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    BSC0502NSIATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 26A TDSON-8
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    1
    2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.3m Ω @ 30A, 10V
    无卤素
    1600pF @ 15V
    26nC @ 10V
    ±20V
    100A
    30V
    26A
    400A
    14 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVTFS4C05NWFTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    SILICON
    22A Ta 102A Tc
    2.2V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2014
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 4 hours ago)
    1 (Unlimited)
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    无铅
    -
    -
    S-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.6m Ω @ 30A, 10V
    -
    1988pF @ 15V
    31nC @ 10V
    ±20V
    102A
    -
    22A
    433A
    -
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    无铅
    AEC-Q101
    30V
    20V
    0.0051Ohm
    30V
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