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BSC070N10NS3GATMA1备选型号: NDBA100N10BT4H
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 接通延迟时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 8-Pin TDSON EP26 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON90A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2011e3no活跃1 (Unlimited)5EAR99DUALFLAT未说明not_compliant未说明8R-PDSO-F5不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET114WDRAINN-ChannelSWITCHING7m Ω @ 50A, 10V3.5V @ 75μA无卤素4000pF @ 50V55nC @ 10V10ns±20V90A2.7V20V100V0.007Ohm360A无SVHCROHS3 Compliant含铅----
MOSFET N-CH 100V 100A DPAK4 Weeks-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-100A Ta175°C TJTape & Reel (TR)-2011e3yesObsolete1 (Unlimited)-EAR99------------N-Channel-6.9m Ω @ 50A, 15V4V @ 1mA-2950pF @ 50V35nC @ 10V385ns±20V100A-20V----符合RoHS标准无铅Tin (Sn)40 ns100V52 ns- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFH5110TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | Single N-Channel 100 V 12.4 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm | 对比 |
 | STH110N10F7-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 100V 110A H2PAK | 对比 |
 | STL70N10F3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-Ch 100V 0.0065 Ohm 16A STripFET III MOS | 对比 |
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