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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.685815
10
¥12.911153
100
¥12.180331
500
¥11.490874
1000
¥10.84045
STMicroelectronics STH110N10F7-2
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- 对比
STH110N10F7-2
2381-STH110N10F7-2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
--最小包装量--
¥
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STH110N10F7-2详情
STMicroelectronics STH110N10F7-2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
110A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
150W Tc
Turn Off Delay Time
52 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VII
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
基本部件号
STH110
元素配置
Single
功率耗散
150W
接通延迟时间
25 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.5m Ω @ 55A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5117pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
72nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
110A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
高度
4.8mm
长度
15.8mm
宽度
10.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STH110N10F7-2拓展信息
STMicroelectronics
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