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BSC082N10LSGATMA1备选型号: IRFS4310ZTRLPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 接通延迟时间
- 下降时间（典型值）
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A 8-Pin TDSON EP16 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON13.8A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2011e3no不用于新设计1 (Unlimited)5EAR99逻辑电平兼容DUALFLAT未说明not_compliant未说明8R-PDSO-F5不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET156WDRAINN-ChannelSWITCHING8.2m Ω @ 100A, 10V2.4V @ 110μA无卤素7400pF @ 50V104nC @ 10V24ns±20V100A20V100V400A377 mJROHS3 Compliant含铅----------
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK12 Weeks-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004e3-活跃1 (Unlimited)2EAR99-SINGLE鸥翼260-30-R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET250WDRAINN-ChannelSWITCHING6m Ω @ 75A, 10V4V @ 150μA-6860pF @ 50V170nC @ 10V60ns±20V120A20V-560A-ROHS3 Compliant无铅Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier20 ns57 ns0.006Ohm100V4 V4.826mm10.668mm9.65mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFS4310ZTRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | 对比 |
| IRFS4310ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | 对比 |
 | STL100N10F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 100V 80A PWRFLT5X6 | 对比 |
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