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首页 全部分类 BSC093N04LSGATMA1 vs BSC080N03LSGATMA1

BSC093N04LSGATMA1备选型号: BSC080N03LSGATMA1

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  • 场效应管类型
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  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • Infineon Technologies
    BSC093N04LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP
    39 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    13A Ta 49A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    FLAT
    8
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    35W
    DRAIN
    3.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.3m Ω @ 40A, 10V
    2V @ 14μA
    无卤素
    1900pF @ 20V
    24nC @ 10V
    2.4ns
    ±20V
    2.8 ns
    13A
    20V
    40V
    0.0093Ohm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC080N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TDSON EP
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    14A Ta 53A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    FLAT
    8
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    35W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    无卤素
    1700pF @ 15V
    21nC @ 10V
    2.8ns
    ±20V
    -
    14A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    e3
    未说明
    not_compliant
    未说明
    不合格
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