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BSC093N15NS5ATMA1备选型号: BSC077N12NS3GATMA1
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数量
- 资历状况
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON-826 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON87A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2013e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLAT未说明not_compliant未说明R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET139WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING9.3m Ω @ 44A, 10V4.6V @ 107μA无卤素3230pF @ 75V40.7nC @ 10V±20V87A3.8V20V150V0.0093Ohm150V150°C1.1mmROHS3 Compliant含铅-------
Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP26 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON13.4A Ta 98A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2010e3no活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLAT未说明not_compliant未说明R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE-增强型MOSFET-DRAIN26 nsN-ChannelSWITCHING7.7m Ω @ 50A, 10V4V @ 110μA无卤素5700pF @ 60V88nC @ 10V±20V98A-20V120V0.0077Ohm---ROHS3 Compliant含铅8不合格24ns10 ns13.4A392A330 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB075N15A-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK | 对比 |
 | IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7 | 对比 |
| FDB082N15A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | N CH MOSFET, POWERTRENCH, 150V, 105A, D2PAK - More Details | 对比 |
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