Infineon Technologies IRFS4115TRL7PP

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

引脚数

7

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

105A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

380W Tc

Turn Off Delay Time

37 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2008

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

380W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.8m Ω @ 63A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5320pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 10V

上升时间

50ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

23 ns

连续放电电流(ID)

105A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0118Ohm

漏源击穿电压

150V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

420A

雪崩能量等级（Eas）

230 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant