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首页 全部分类 BSC097N06NSATMA1 vs FQB50N06LTM

BSC097N06NSATMA1备选型号: FQB50N06LTM

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  • 元素配置
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  • 长度
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  • Infineon Technologies
    BSC097N06NSATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    46A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2005
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9.7m Ω @ 40A, 10V
    3.3V @ 14μA
    无卤素
    1075pF @ 30V
    15nC @ 10V
    2ns
    ±20V
    46A
    2.8V
    20V
    60V
    12A
    0.0097Ohm
    13 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQB50N06LTM
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    7 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    52.4A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2001
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    21m Ω @ 26.2A, 10V
    2.5V @ 250μA
    -
    1630pF @ 25V
    32nC @ 5V
    380ns
    ±20V
    52.4A
    2.5V
    20V
    -
    -
    0.025Ohm
    990 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
    1.31247g
    yes
    60V
    52.4A
    不合格
    Single
    3.75W
    20 ns
    145 ns
    60V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
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