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首页 全部分类 BSC098N10NS5ATMA1 vs BSC072N08NS5ATMA1

BSC098N10NS5ATMA1备选型号: BSC072N08NS5ATMA1

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 零件状态
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 无铅代码
  • 元素配置
  • 下降时间（典型值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    BSC098N10NS5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    1
    3.8V @ 36μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    69W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.8m Ω @ 30A, 10V
    无卤素
    2100pF @ 50V
    28nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    11A
    20V
    100V
    100V
    240A
    30 mJ
    150°C
    1.1mm
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC072N08NS5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    74A Tc
    3.8V @ 36μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    -
    -
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    -
    1
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.2m Ω @ 37A, 10V
    无卤素
    2100pF @ 40V
    29nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    74A
    20V
    80V
    -
    296A
    40 mJ
    -
    -
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    506.605978mg
    yes
    Single
    5 ns
    0.0072Ohm
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