您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BSC100N06LS3GATMA1 vs FDMS86520

BSC100N06LS3GATMA1备选型号: FDMS86520

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSC100N06LS3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    12A Ta 50A Tc
    2.2V @ 23μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 50A, 10V
    无卤素
    3500pF @ 30V
    45nC @ 10V
    58ns
    ±20V
    12A
    20V
    60V
    200A
    22 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS86520
    ON Semiconductor
    MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    14A Ta 42A Tc
    4.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2010
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    R-PDSO-F5
    -
    -
    增强型MOSFET
    69W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.4m Ω @ 14A, 10V
    -
    2850pF @ 30V
    40nC @ 10V
    6.7ns
    ±20V
    42A
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    68.1mg
    1
    Single
    4 ns
    MO-240AA
    0.0074Ohm
    60V
    150°C
    1.1mm
    5.1mm
    6.25mm
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDMS86520 FDMS86520 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 对比
IRF7855PBF IRF7855PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC 对比