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首页 全部分类 BSC117N08NS5ATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1

BSC117N08NS5ATMA1备选型号: BSZ110N08NS5ATMA1

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  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • Reach合规守则
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    BSC117N08NS5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 80V 49A TDSON-8
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    506.605978mg
    SILICON
    49A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11.7m Ω @ 25A, 10V
    3.8V @ 22μA
    无卤素
    1300pF @ 40V
    18nC @ 10V
    4ns
    ±20V
    3 ns
    19A
    20V
    80V
    80V
    150°C
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSZ110N08NS5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    SILICON
    40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    S-PDSO-N3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 20A, 10V
    3.8V @ 22μA
    无卤素
    1300pF @ 40V
    18.5nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    3 ns
    40A
    20V
    80V
    80V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    EAR99
    not_compliant
    40 mJ
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