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首页 全部分类 BSC117N08NS5ATMA1 vs IRF6668TRPBF

BSC117N08NS5ATMA1备选型号: IRF6668TRPBF

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  • ECCN 代码
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  • 额定电流
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSC117N08NS5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 80V 49A TDSON-8
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    506.605978mg
    SILICON
    49A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11.7m Ω @ 25A, 10V
    3.8V @ 22μA
    无卤素
    1300pF @ 40V
    18nC @ 10V
    4ns
    ±20V
    3 ns
    19A
    20V
    80V
    80V
    150°C
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6668TRPBF
    Infineon Technologies
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFE
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MZ
    3
    -
    SILICON
    55A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    BOTTOM
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    19 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    15m Ω @ 12A, 10V
    4.9V @ 100μA
    -
    1320pF @ 25V
    31nC @ 10V
    13ns
    ±20V
    23 ns
    55mA
    20V
    -
    80V
    -
    533.4μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e1
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    80V
    55A
    4V
    0.015Ohm
    170A
    24 mJ
    6.35mm
    5.0546mm
    无SVHC
    无
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