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首页 全部分类 BSC123N10LSGATMA1 vs BSC100N10NSFGATMA1

BSC123N10LSGATMA1备选型号: BSC100N10NSFGATMA1

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  • 终止次数
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 资历状况
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 接通延迟时间
  • 下降时间（典型值）
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    BSC123N10LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 10.6A 8-Pin TDSON EP T/R
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    10.6A Ta 71A Tc
    2.4V @ 72μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    114W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    12.3m Ω @ 50A, 10V
    无卤素
    4900pF @ 50V
    68nC @ 10V
    25ns
    ±20V
    10.6A
    20V
    100V
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC100N10NSFGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 11.4A 8-Pin TDSON
    26 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    11.4A Ta 90A Tc
    4V @ 110μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    1999
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    156W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 25A, 10V
    无卤素
    2900pF @ 50V
    44nC @ 10V
    23ns
    ±20V
    11.4A
    20V
    100V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    Tin (Sn)
    18 ns
    7 ns
    360A
    377 mJ
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