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首页 全部分类 BSC123N10LSGATMA1 vs FDD86110

BSC123N10LSGATMA1备选型号: FDD86110

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  • 箱体转运
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  • 质量
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  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSC123N10LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 10.6A 8-Pin TDSON EP T/R
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    10.6A Ta 71A Tc
    2.4V @ 72μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    114W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    12.3m Ω @ 50A, 10V
    无卤素
    4900pF @ 50V
    68nC @ 10V
    25ns
    ±20V
    10.6A
    20V
    100V
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD86110
    ON Semiconductor
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100 V, 50 A, 10.2 mO
    8 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    12.5A Ta 50A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    -
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    10.2m Ω @ 12.5A, 10V
    -
    2265pF @ 50V
    35nC @ 10V
    5.4ns
    ±20V
    12.5A
    20V
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    260.37mg
    Tin (Sn)
    Single
    12 ns
    3.9 ns
    2.8V
    50A
    100V
    60A
    2.8 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无
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