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首页 全部分类 BSC150N03LDGATMA1 vs FDS6692A

BSC150N03LDGATMA1备选型号: FDS6692A

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  • 最大双电源电压
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 质量
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
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  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSC150N03LDGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2009
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    逻辑电平兼容
    FLAT
    not_compliant
    BSC150N03
    8
    R-PDSO-F6
    不合格
    增强型MOSFET
    26W
    DRAIN
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    15m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 250μA
    无卤素
    1100pF @ 15V
    13.2nC @ 10V
    2.2ns
    8A
    20V
    30V
    10 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6692A
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    1.47W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    11.5m Ω @ 9A, 10V
    2.5V @ 250μA
    -
    1610pF @ 15V
    29nC @ 10V
    32ns
    9A
    20V
    -
    79 mJ
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    130mg
    11.5MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    Single
    8 ns
    ±20V
    32 ns
    1.2V
    9A
    30V
    1.575mm
    4.9mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
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FDS6692A FDS6692A ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC 对比