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首页 全部分类 BSC160N10NS3GATMA1 vs FDMS86320

BSC160N10NS3GATMA1备选型号: FDMS86320

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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
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  • 元素配置
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSC160N10NS3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    8.8A Ta 42A Tc
    3.5V @ 33μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    60W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 33A, 10V
    无卤素
    1700pF @ 50V
    25nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    5 ns
    8.8A
    20V
    100V
    50 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS86320
    ON Semiconductor
    MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    10.5A Ta 22A Tc
    4.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    R-PDSO-F5
    -
    -
    增强型MOSFET
    69W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11.7m Ω @ 10.5A, 10V
    -
    2640pF @ 40V
    41nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    5 ns
    10.5A
    20V
    -
    60 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin
    74mg
    Single
    MO-240AA
    22A
    80V
    50A
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无
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