BSC340N08NS3GATMA1备选型号: FDS3590
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 质量
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R26 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON7A Ta 23A Tc3.5V @ 12μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008OptiMOS™e3no活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLATR-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2.5WDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING34m Ω @ 12A, 10V无卤素756pF @ 40V9.1nC @ 10V3ns±20V2 ns7A20V80V23A0.034Ohm92A20 mJ无ROHS3 Compliant含铅------------
- MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC9 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON6.5A Ta4V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-PowerTrench®e3yesACTIVE (Last Updated: 1 day ago)1 (Unlimited)8EAR99-DUAL鸥翼--增强型MOSFET2.5W-11 nsN-ChannelSWITCHING39m Ω @ 6.5A, 10V-1180pF @ 40V35nC @ 10V8ns±20V12 ns6.5A20V-6.4A---无ROHS3 Compliant无铅Tin130mg39MOhm80V6.5ASingle4V80V1.5mm5mm4mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7488TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOIC | 对比 |
![]() | IRF7488PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOIC | 对比 |




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