Infineon Technologies IRF7488PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

44 ns

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

80V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

6.3A

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

行间距

6.3 mm

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

29m Ω @ 3.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1680pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

57nC @ 10V

上升时间

12ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

6.3A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.029Ohm

漏源击穿电压

80V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

50A

双电源电压

80V

雪崩能量等级（Eas）

96 mJ

栅源电压

4 V

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

4.05mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅