您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BSC750N10NDGATMA1 vs ZXMN10A08E6TC

BSC750N10NDGATMA1备选型号: ZXMN10A08E6TC

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 配置
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    BSC750N10NDGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin TDSON
    16 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    3.2A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    e3
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    雪崩 额定
    FLAT
    BSC750N10
    8
    R-PDSO-F6
    2
    增强型MOSFET
    26W
    DRAIN
    9 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    75m Ω @ 13A, 10V
    4V @ 12μA
    无卤素
    720pF @ 50V
    11nC @ 10V
    4ns
    13A
    3V
    20V
    100V
    0.075Ohm
    100V
    17 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMN10A08E6TC
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6
    17 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    SILICON
    1.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    鸥翼
    -
    -
    -
    1
    增强型MOSFET
    1.7W
    -
    3.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    250m Ω @ 3.2A, 10V
    -
    -
    405pF @ 50V
    7.7nC @ 10V
    2.2ns
    3.5A
    -
    20V
    -
    -
    100V
    -
    -
    -
    1.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    14.996898mg
    4V @ 250μA
    250mOhm
    Matte Tin (Sn)
    100V
    DUAL
    1.5A
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    ±20V
    2.2 ns
    3.1mm
    1.8mm
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
ZXMN10A08E6TC ZXMN10A08E6TC Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6 对比
FDN8601 FDN8601 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET 对比