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首页 全部分类 BSL202SNH6327XTSA1 vs IRLTS2242TRPBF

BSL202SNH6327XTSA1备选型号: IRLTS2242TRPBF

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 电阻
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 宽度
  • 长度
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    BSL202SNH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    7.5A Ta
    1.2V @ 30μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    2W
    8.26 ns
    N-Channel
    22m Ω @ 7.5A, 4.5V
    无卤素
    1147pF @ 10V
    8.7nC @ 10V
    27.5ns
    ±12V
    7.5A
    950mV
    12V
    20V
    0.022Ohm
    20V
    30A
    30 mJ
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLTS2242TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    SILICON
    18 ns
    1.1V @ 10μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2W
    5.8 ns
    P-Channel
    32m Ω @ 6.9A, 4.5V
    -
    905pF @ 10V
    12nC @ 4.5V
    18ns
    ±12V
    6.9A
    -400mV
    12V
    -
    -
    -20V
    55A
    -
    1.3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    55MOhm
    Single
    SWITCHING
    20V
    68 ns
    1.75mm
    3mm
    无
    无SVHC
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