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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.534541
10
¥3.334473
100
¥3.145729
500
¥2.96767
1000
¥2.799687
Infineon Technologies BSL202SNH6327XTSA1
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- 对比
BSL202SNH6327XTSA1
1211-BSL202SNH6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
大陆
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MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSL202SNH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BSL202SNH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2W Ta
Turn Off Delay Time
18.9 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1.2V @ 30μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2W
接通延迟时间
8.26 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
22m Ω @ 7.5A, 4.5V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1147pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.7nC @ 10V
上升时间
27.5ns
Vgs(最大值)
±12V
连续放电电流(ID)
7.5A
阈值电压
950mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大双电源电压
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.022Ohm
漏源击穿电压
20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30A
雪崩能量等级(Eas)
30 mJ
高度
1.1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSL202SNH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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