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BSL207NH6327XTSA1备选型号: BSL205NH6327XTSA1

BSL207NH6327XTSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 20(Min)V 2.1A 6-Pin TSOP T/R

12 Weeks
表面贴装
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
表面贴装
6
SILICON
2
2013
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Tape & Reel (TR)
-55°C~150°C TJ
e3
yes
Obsolete
1 (Unlimited)
6
EAR99
Matte Tin (Sn)
雪崩额定
500mW
鸥翼
未说明
未说明
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
增强型MOSFET
500mW
2 N-Channel (Dual)
70m Ω @ 2.1A, 4.5V
1.2V @ 11μA
无卤素
419pF @ 10V
2.1nC @ 4.5V
2.8ns
2.1A
12V
20V
0.07Ohm
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Logic Level Gate, 2.5V Drive
24 pF
ROHS3 Compliant
无铅
-
BSL205NH6327XTSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 20(Min)V 2.5A 6-Pin TSOP T/R

12 Weeks
表面贴装
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
表面贴装
-
SILICON
2
2013
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Tape & Reel (TR)
-55°C~150°C TJ
e3
yes
Obsolete
1 (Unlimited)
6
EAR99
Tin (Sn)
雪崩额定
500mW
鸥翼
未说明
未说明
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
增强型MOSFET
500mW
2 N-Channel (Dual)
50m Ω @ 2.5A, 4.5V
1.2V @ 11μA
无卤素
419pF @ 10V
3.2nC @ 4.5V
2.9ns
2.5A
20V
20V
0.05Ohm
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Logic Level Gate, 4.5V Drive
24 pF
ROHS3 Compliant
无铅
R-PDSO-G6
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