您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BSL207NH6327XTSA1 vs FDC6420C

BSL207NH6327XTSA1备选型号: FDC6420C

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 系列
  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 终端
  • 电阻
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSL207NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20(Min)V 2.1A 6-Pin TSOP T/R
    12 Weeks
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    表面贴装
    6
    SILICON
    2
    2013
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    500mW
    鸥翼
    未说明
    未说明
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    500mW
    2 N-Channel (Dual)
    70m Ω @ 2.1A, 4.5V
    1.2V @ 11μA
    无卤素
    419pF @ 10V
    2.1nC @ 4.5V
    2.8ns
    2.1A
    12V
    20V
    0.07Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    24 pF
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC6420C
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDC6420C - Dual MOSFET, N and P Channel, 3 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 900 mV
    10 Weeks
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    表面贴装
    6
    SILICON
    3A 2.2A
    2017
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    TIN (SN)
    -
    700mW
    鸥翼
    260
    30
    -
    增强型MOSFET
    -
    N and P-Channel
    70m Ω @ 3A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    -
    324pF @ 10V
    4.6nC @ 4.5V
    12ns
    3A
    12V
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    36mg
    SMD/SMT
    70MOhm
    3A
    2
    Dual
    960mW
    SWITCHING
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    12 ns
    900mV
    3A
    20V
    20V
    150°C
    900 mV
    900μm
    无SVHC
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
ZXM62P02E6TA ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 对比
FDC6392S FDC6392S ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6 对比
FDC6420C FDC6420C ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 ON SEMICONDUCTOR - FDC6420C - Dual MOSFET, N and P Channel, 3 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 900 mV 对比