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首页 全部分类 BSL215CH6327XTSA1 vs NTGD3133PT1G

BSL215CH6327XTSA1备选型号: NTGD3133PT1G

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  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 高度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    BSL215CH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    500mW
    DUAL
    鸥翼
    2
    增强型MOSFET
    500mW
    N and P-Channel Complementary
    SWITCHING
    140m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1.2V @ 3.7μA
    无卤素
    143pF @ 10V
    0.73nC @ 4.5V
    20V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    1.5A
    -900μV
    12V
    -20V
    0.14Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    9 pF
    1.1mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTGD3133PT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    560mW
    -
    鸥翼
    -
    增强型MOSFET
    1.1W
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    145m Ω @ 2.2A, 4.5V
    1.4V @ 250μA
    -
    400pF @ 10V
    5.5nC @ 4.5V
    20V
    N-CHANNEL
    1.6A
    -
    12V
    -
    0.145Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    260
    40
    6
    不合格
    Dual
    12.7ns
    12.7 ns
    2.5A
    -20V
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NTGS3441PT1G NTGS3441PT1G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 1.8A 6-TSOP 对比