Infineon Technologies BSL215CH6327XTSA1

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

500mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500mW

场效应管类型

N and P-Channel Complementary

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

140m Ω @ 1.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 3.7μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

143pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.73nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

1.5A

阈值电压

-900μV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大双电源电压

-20V

漏极-源极导通最大电阻

0.14Ohm

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate, 2.5V Drive

反馈上限-最大值 (Crss)

9 pF

高度

1.1mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅