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首页 全部分类 BSL307SPL6327HTSA1 vs BSL308PEL6327HTSA1

BSL307SPL6327HTSA1备选型号: BSL308PEL6327HTSA1

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  • 引脚数量
  • 配置
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • Infineon Technologies
    BSL307SPL6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOP T/R
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    5.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2001
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    DUAL
    鸥翼
    6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    7.3 ns
    P-Channel
    43m Ω @ 5.5A, 10V
    2V @ 40μA
    805pF @ 25V
    29nC @ 10V
    8.4ns
    30V
    ±20V
    29 ns
    5.5A
    20V
    0.043Ohm
    22A
    30V
    44 mJ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSL308PEL6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    -
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    逻辑电平兼容
    -
    鸥翼
    6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    5.6 ns
    2 P-Channel (Dual)
    80m Ω @ 2A, 10V
    1V @ 11μA
    500pF @ 15V
    5nC @ 10V
    7.7ns
    30V
    -
    2.8 ns
    2A
    20V
    0.08Ohm
    -
    30V
    -
    无
    符合RoHS标准
    500mW
    BSL308P
    R-PDSO-G6
    2.1A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    7.8 pF
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